三星自产芯片!骁龙8 Gen 4 for Galaxy采用3GAP工艺正式量产
5月19日消息,据Revegnus(@Tech_Reve)在推特上的分享,高通计划在未来推出骁龙8 Gen 4处理器,并采用台积电的3nm工艺(N3E)。与此同时,针对三星的Galaxy设备,高通也将为其生产定制的骁龙8 Gen 4处理器,该处理器则采用三星自家的3nm GAP工艺。
据了解,Revegnus以往的爆料多次准确,因此具有一定的可信度。然而,关于三星发布Galaxy S25的相关信息,还需等待两年时间,直到2024年年底才能更加清晰明了。
尽管三星和台积电都将使用3nm工艺来代工骁龙芯片,但在性能和功耗方面肯定会存在差异。因此,关键在于三星如何把控这些工艺,并缩小与台积电的差距。
高通选择不同的代工合作伙伴,可能是为了在不同工艺方面寻求更好的表现。台积电的3nm工艺(N3E)在市场上备受瞩目,被认为具备出色的性能和能效。而三星的3nm GAP工艺则是该公司自家的技术,其性能和功耗表现将成为关注焦点。
目前,我们还无法确切知道这两种工艺在骁龙8 Gen 4处理器中的实际表现如何。然而,随着时间的推移,我们可以期待这两款处理器的发布,并对它们的性能和功耗进行全面评估。无论最终结果如何,消费者都有望从中获得更强大且能效更高的移动设备体验。
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