7月29日消息，三星电子近日宣布在3nm工艺方面取得重要进展。去年6月，三星率先宣布开始量产3nm芯片，比台积电快了一步。然而，台积电成功获得了苹果等大客户的订单，而三星尚未吸引到同等规模的重量级客户，在这方面稍显不足。

据三星财报显示，其3nm工艺的良率已经稳定，目前代工厂正在顺利量产第三款3nm芯片。尽管三星没有具体透露代工对象是谁，有传闻称AMD正在寻求将芯片代工给三星的3nm工艺。不过，AMD官方态度并不明确，只表示在考虑台积电以外的晶圆代工伙伴。

三星在3nm工艺上采用了先进的GAA晶体管技术，放弃了传统的FinFET晶体管技术，使其技术路线更加激进。据三星称，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能也得到约35%的提升。

然而，在初始阶段，三星的3nm工艺遇到了良率较低的问题。最近的传闻称，三星的3nm工艺良率已经提升到了60%，超过了台积电的3nm工艺55%的良率水平。这表明三星在不断优化工艺，力求提高生产效率和稳定性。

除了第一代3nm工艺外，三星还展望了第二代3nm工艺及2nm工艺的进展情况，并表示对这些新工艺的发展有着坚定的信心。

综合来看，三星电子在3nm工艺方面虽然面临一些挑战，但通过采用先进的GAA晶体管技术，努力优化生产工艺，逐步提升良率，并积极推进未来的2nm工艺研发，显示出其在半导体领域持续保持竞争力的决心与实力。

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