台积电3nm技术突破：特斯拉加盟，开启芯片新篇章

2024-01-01 23:03分类：观察阅读：

12月26日消息，MoneyDJ最新报道指出，台湾半导体巨头台积电预计在明年大幅增加其3nm NTO芯片设计的数量。这一突破性的发展吸引了包括联发科、AMD、英伟达、英特尔和高通等传统大客户，同时，电动汽车行业的领头羊特斯拉也确认将加入N3P技术的使用者行列，计划利用这一先进技术生产下一代FSD自动驾驶芯片。

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据了解，台积电的最新N3P工艺计划于2024年正式投入生产。这一技术相较于N3E工艺，不仅性能提升了5%，还在功耗上实现了5%到10%的降低，并且芯片密度提升了1.04倍。台积电自豪地宣称，其N3P工艺在性能、功耗和成本(PPA)方面均优于竞争对手英特尔的18A制程。

此外，特斯拉与台积电的合作并非首次。历史记录显示，特斯拉曾多次向台积电下单购买先进芯片，包括7nm制程的Dojo D1芯片和5nm制程的HW 4.0芯片。这些合作案例证明了双方长期而深入的合作关系。

市场分析师们对这一合作持积极态度。他们预测，随着特斯拉第五代FSD芯片的生产任务交给台积电N3P，特斯拉有可能迅速上升为台积电的第七大客户。这不仅为特斯拉带来更先进的自动驾驶技术，也预示着台积电在全球半导体市场中的地位和收入将因此而得到进一步的增强。

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