7月3日消息，台积电正计划将其制程工艺转向更先进的3纳米技术，并有望在今年开始量产。据台积电副总经理张晓强透露，预计首个采用3纳米工艺的产品将是苹果的A17芯片。随后，台积电还计划推出多个版本的3纳米工艺。此外，台积电也在有条不紊地进行2纳米工艺的研发工作，该工艺被命名为N2，并计划于2025年开始量产。

据了解，张晓强还透露了2纳米工艺的良率情况。目前，256Mb SRAM芯片在2纳米工艺下的良率已经达到了50%以上，并且预计未来的目标将达到80%以上。2纳米工艺将采用GAA(Gate-All-Around)晶体管，而不再使用FinFET晶体管。与N3E工艺相比，N2工艺在相同功耗下速度可增加10%-15%，或在相同速度下功耗可降低25%-30%。然而，晶体管密度的提升仅为10%-20%。

虽然2纳米工艺带来了技术上的先进性，但也伴随着更高的代工价格。在3纳米工艺涨价至2万美元的基础上，2纳米工艺的代工价格将达到2.5万美元，相当于超过18万元人民币。幸运的是，台积电计划在不久的将来在竹科基地建立一条小规模试产生产线，试产量预计将接近千片。

如果试产顺利，台积电将在竹科宝山晶圆20厂进行进一步的建设工作，以实现2024年的风险试产和2025年的量产目标。台积电对于新一代工艺的研发和量产展示了强大的技术实力和市场竞争优势。对于全球半导体产业来说，台积电在工艺领域的突破将推动整个行业的发展，并带来更强大、更高效的芯片产品。

上一篇：京东方A：2023年柔性AMOLED出货量瞄准超过1.2亿片的新高

下一篇：华为申请注册“WENJIE”和"HARMOTOR"商标，扩展智能出行布局