12月27日消息，佳能在今年的10月向世界宣布了其最新技术突破，FPA-1200NZ2C纳米压印光刻(NIL)设备。这项技术标志着半导体制造领域的一个重要转折点，为行业内的小型制造商提供了制造高级芯片的新途径。

在一个近期的声明中，佳能社长御手洗富士夫强调了纳米压印光刻技术的重要性，他指出这项技术将为那些追求制造先进芯片的小型半导体公司开辟全新的可能性。佳能的技术专家岩本和德也分享了这项技术的具体工作原理：通过将带有电路图案的掩模直接压印到晶圆上，能够一次性在正确的位置形成复杂的二维或三维电路图案。这种方法的一个显著优势是，通过不断地改进掩模设计，理论上甚至可以生产出2纳米级别的芯片。

据了解，佳能的纳米压印光刻技术已经能够生产至少5纳米工艺尺寸的芯片。在目前这一领域由ASML主导的背景下，佳能的这一突破意味着它可以逐渐缩小与ASML之间的技术差距。岩本和德在谈及设备成本时透露，尽管不同客户的具体成本会有所不同，但纳米压印工艺的成本估计最低可以达到传统光刻设备的一半。

近期，御手洗富士夫在一次报道中提到，佳能的NIL产品价格将比ASML的极紫外光刻(EUV)设备便宜一个数量级。这一价格优势，加上其技术的进步，预示着佳能在半导体设备市场的竞争力正在快速提升。佳能与日本印刷综合企业大日本印刷株式会社(Dai Nippon Printing Co.)以及存储芯片制造商铠侠控股(Kioxia Holdings Corp.)的合作研究已经进行了近十年，这为其技术的成熟和实用化奠定了坚实的基础。

不同于基于反射光工作的极紫外光刻技术，佳能研究的纳米压印技术直接将电路图案印刻在晶圆上，制造出的芯片在几何形状上与最先进节点相当，尽管速度较慢。佳能的这种新型设备有望减少芯片制造商对芯片代工厂的依赖，同时也为台积电和三星电子等大型芯片代工厂提供了更多的可能性，它们可以更容易地批量生产芯片。这种机器的功率需求仅为同类EUV产品的十分之一。

自2014年起，佳能开始大力投资于纳米压印技术，收购了专注于这一领域的分子压模公司 (Molecular Imprints Inc.)。作为全球领先的芯片制造商台积电的供应商之一，佳能目前正在日本宇都宫市建设其20年来的第一家光刻设备新工厂，预计将在2025年开始运营。岩本和德在接受媒体采访时表示，佳能已经收到了来自半导体制造商、大学和研究机构的大量询问，这表明市场对于纳米压印技术作为EUV技术替代品的兴趣日益增加，预计该技术将被广泛应用于包括闪存、个人计算机的DRAM和逻辑IC等在内的各种半导体产品的生产中。

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