09月13日消息，台积电日前宣布了两项重大投资计划，旨在提高公司的垂直整合能力，以确保平稳过渡到2纳米的GAA技术。这些战略举措将有助于台积电进一步巩固其在半导体制造业的领先地位，同时加强与全球领先技术公司的合作。

首先，台积电计划投资ARM公司，这一决策背后的原因之一可能是英特尔的计划。英特尔计划采用18A制程(相当于台积电的2纳米制程)来生产ARM架构芯片，这对于台积电来说是一个巨大的机遇。通过投资ARM，并与其加强合作，包括在设计-技术协同优化(DTCO)和系统-技术协同优化(STCO)等领域展开更密切的合作，台积电可以更好地为ARM IP提供优化的制程和封装技术支持。

另一方面，台积电还计划对IMS Nanofabrication业务进行投资，以确保满足2纳米技术商用化的需求。这一举措将有助于台积电确保获取关键设备的技术开发和供应，以支持其2纳米技术的顺利推进。IMS Nanofabrication的技术和资源将为台积电提供更多的制程工具和技术支持，有助于提高其生产效率和产品质量。

据了解，这些投资计划是台积电为了适应竞争激烈的半导体市场而采取的重要措施。通过加强与ARM、英特尔、Apple和Nvidia等关键合作伙伴的合作，台积电将进一步巩固其在半导体制造业的领先地位，并确保在未来技术领域保持竞争力。这将有助于推动半导体产业的进步，满足不断增长的全球客户需求。

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